Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:898b780a-6cbc-4866-8d6c-b7c973f10a86" >
Influence of thin G...
Influence of thin GaAs and AlAs cap layers on the structural properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
-
- Ferdos, Fariba, 1966 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Wei, Yongqiang, 1975 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Sadeghi, Mahdad, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zhao, Qing Xiang, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2002. ; , s. 285-6
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Self-organised InAs quantum dots (QDs) are used as optical gain material in long wavelength lasers on GaAs. The measured QD height and density are often used as figures of merits, and great efforts have been made to maximise these two parameters to extend the wavelength coverage. In this work, we investigate the influence of initial GaAs and AlAs cap layers on the structural properties of InAs QDs. The study clearly shows that capping of InAs QDs causes a strong modification of not only the QD shape and height but also the QD density
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- molecular beam epitaxial growth
- gallium arsenide
- semiconductor quantum dots
- indium compounds
- atomic force microscopy
- aluminium compounds
- III-V semiconductors
- semiconductor growth
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Ferdos, Fariba, ...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Wei, Yongqiang, ...
-
Larsson, Anders, ...
-
Sadeghi, Mahdad, ...
-
Zhao, Qing Xiang ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- International Co ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola