Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:d673aca3-4ffe-4d86-bf76-0159b2c0c713" >
Low temperature oxi...
Low temperature oxides deposited by remote plasma enhanced CVD
-
- Ragnarsson, Lars-Åke, 1968 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Bengtsson, Stefan, 1961 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Andersson, Mats O., 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Södervall, Ulf, 1954 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 1994
- 1994
- Engelska.
-
Ingår i: Proceedings of the Second International Symposium on Ultra-Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS '94). ; , s. 117-
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A remote plasma enhanced chemical vapor deposition (RPECVD) process was used to prepare SiO2-Si structures at ~300°C. The best midgap interface trap densities, Ditm, as obtained by C-V techniques are 6-8×1010 cm-2eV-1 for SiO2-Si(100) and 2-3×1011 cm-2eV-1 for SiO2-Si(111)
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- integrated circuit technology
- silicon
- interface states
- plasma CVD
- capacitance
- dielectric thin films
- silicon compounds
- electron traps
- hole traps
- elemental semiconductors
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas