SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:f493dec3-7e87-4019-8945-eed47120dad6"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:f493dec3-7e87-4019-8945-eed47120dad6" > Graphene field-effe...

  • Bonmann, Marlene,1988Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

Graphene field-effect transistors with high extrinsic fT and fmax

  • Artikel/kapitelEngelska2019

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2019
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:f493dec3-7e87-4019-8945-eed47120dad6
  • https://research.chalmers.se/publication/508311URI
  • https://doi.org/10.1109/LED.2018.2884054DOI
  • https://research.chalmers.se/publication/506728URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • In this work, we report on the performance of graphene field-effect transistors (GFETs) in which the extrinsic transit frequency (fT) and maximum frequency of oscillation (fmax) showed improved scaling behavior with respect to the gate length (Lg). This improvement was achieved by the use of high-quality graphene in combination with successful optimization of the GFET technology, where extreme low source/drain contact resistances were obtained together with reduced parasitic pad capacitances. GFETs with gate lengths ranging from 0.5 μm to 2 μm have been characterized, and extrinsic fT and fmax frequencies of up to 34 GHz and 37 GHz, respectively, were obtained for GFETs with the shortest gate lengths. Simulations based on a small-signal equivalent circuit model are in good agreement with the measured data. Extrapolation predicts extrinsic fT and fmax values of approximately 100 GHz at Lg=50 nm. Further optimization of the GFET technology enables fmax values above 100 GHz, which is suitable for many millimeter wave applications.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Asad, Muhammad,1986Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)asadmu (författare)
  • Yang, Xinxin,1988Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)xinxiny (författare)
  • Generalov, Andrey,1987Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)gandrey (författare)
  • Vorobiev, Andrei,1963Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)vorobiev (författare)
  • Banszerus, LucaRheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen,RWTH Aachen University (författare)
  • Stampfer, ChristophRheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen,RWTH Aachen University (författare)
  • Otto, Martin (författare)
  • Neumaier, Daniel (författare)
  • Stake, Jan,1971Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)stake (författare)
  • Chalmers tekniska högskolaRheinisch-Westfaelische Technische Hochschule Aachen (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:IEEE Electron Device Letters40:1, s. 131-1340741-31061558-0563

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy