Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:f8bc4883-c96a-4068-bfd0-3c4053590a9a" >
High Performance 1....
High Performance 1.3 μm GaInNAs Quantum Well Lasers on GaAs
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Adolfsson, Göran, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zhao Ternehäll, Huan, 1982 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Wei, Yongqiang, 1975 (författare)
- University Of Cambridge
-
- Gustavsson, Johan, 1974 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Sadeghi, Mahdad, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9780819470843
- SPIE, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - : SPIE. - 0277-786X .- 1996-756X. - 9780819470843 ; 6909, s. 690905-
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We present state-of-the-art performance of 1.3 μm GaInNAs lasers on GaAs grown by molecular beam epitaxy. The lowest achieved threshold current density is 297, 150 and 133 A/cm 2 per quantum well (QW) for single, double and triple QW broad area lasers with a cavity length of 1 mm. The characteristic temperature is 93-133 K in the ambient temperature range of 10-80 °C for broad area lasers depending on the cavity length, and increases to 163-208 K for ridge waveguide lasers as a result of temperature insensitive lateral carrier diffusion in QWs. The maximum 3 dB bandwidth of 17 GHz is achieved in a double QW laser. Uncooled 10 Gb/s operation up to 110 °C has been demonstrated.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- quantum well laser
- 3 dB bandwidth
- 10 Gb/s
- 1.3 μm
- molecular beam epitaxy
- GaInNAs
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Adolfsson, Göran ...
-
Zhao Ternehäll, ...
-
Wei, Yongqiang, ...
-
Gustavsson, Joha ...
-
Sadeghi, Mahdad, ...
-
visa fler...
-
Larsson, Anders, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Proceedings of S ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola