Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-106127" >
Enhanced tunneling ...
-
Wang, Lijuan
(författare)
Enhanced tunneling in the GaAs p(+)-n(+) junction by embedding InAs quantum dots
- Artikel/kapitelEngelska2012
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
2012-09-26
-
IOP Publishing,2012
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-106127
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-106127URI
-
https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/11/115010DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20121203
-
GaAs p(+)-n(+) junctions with and without a layer of InAs quantum dots (QDs) embedded at the interface are discussed in this article. The current density versus voltage (I-V) characteristics show that the junctions without QDs are weak degenerate due to the Beryllium(Be) atoms diffusion of nominal p(++)-GaAs; the junctions with QDs generate enhanced tunneling current at forward bias, because the QDs layer reduces the Be diffusion and enables a two-step tunneling process. At room temperature, the current density of the sample with QDs is enhanced to 122 A cm(-2) at a forward bias of +0.32 V, which is about 2 orders of magnitude higher than the reference sample without QDs.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
He, Jifang
(författare)
-
Shang, XiangjunKTH,Teoretisk kemi och biologi(Swepub:kth)u1wz9r20
(författare)
-
Li, Mifeng
(författare)
-
Yu, Ying
(författare)
-
Zha, Guowei
(författare)
-
Ni, Haiqiao
(författare)
-
Niu, Zhichuan
(författare)
-
KTHTeoretisk kemi och biologi
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Semiconductor Science and Technology: IOP Publishing27:11, s. 115010-0268-12421361-6641
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas