Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-13090" >
Dynamic avalanche i...
-
Domeij, MartinKTH,Elektronik
(författare)
Dynamic avalanche in Si power diodes and impact ionization at the nn(+) junction
- Artikel/kapitelEngelska2000
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-13090
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-13090URI
-
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(99)00261-0DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100527
-
The reverse recovery failure limit was measured with an optical technique for power diodes which sustain high levels of dynamic avalanche. Measurements and simulations indicate that these diodes withstand dynamic avalanche at the pn-junction and eventually fail as a result of a strongly inhomogeneous current distribution caused by the onset of impact ionisation at the diode nn(+) junction - a mechanism similar to the reverse bias second breakdown of bipolar transistors.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Breitholtz, BoKTH,Elektronik(Swepub:kth)u19xmtrg
(författare)
-
Lutz, Josef
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
KTHElektronik
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Solid-State Electronics44:3, s. 477-4850038-11011879-2405
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas