SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Lu Jun)
 

Sökning: WFRF:(Lu Jun) > (2010-2014) > Surface-energy trig...

  • Luo, JunKTH,Integrerade komponenter och kretsar,Royal Institute of Technology (författare)

Surface-energy triggered phase formation and epitaxy in nanometer-thick Ni1-xPtx silicide films

  • Artikel/kapitelEngelska2010

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AIP Publishing,2010
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-14032
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-14032URI
  • https://doi.org/10.1063/1.3291679DOI
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-119226URI
  • https://gup.ub.gu.se/publication/112714URI
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-53937URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC20100708
  • The formation of ultrathin silicide films of Ni1-xPtx at 450-850 degrees C is reported. Without Pt (x=0) and for t(Ni)< 4 nm, epitaxially aligned NiSi2-y films readily grow and exhibit extraordinary morphological stability up to 800 degrees C. For t(Ni)>= 4 nm, polycrystalline NiSi films form and agglomerate at lower temperatures for thinner films. Without Ni (x=1) and for t(Pt)=1-20 nm, the annealing behavior of the resulting PtSi films follows that for the NiSi films. The results for Ni1-xPtx of other compositions support the above observations. Surface energy is discussed as the cause responsible for the distinct behavior in phase formation and morphological stability.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Qiu, ZhijunFudan University (författare)
  • Zha, ChaolinKTH,Integrerade komponenter och kretsar,Royal Institute of Technology(Swepub:kth)u1hss86e (författare)
  • Zhang, ZhenUppsala universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Fasta tillståndets elektronik,Royal Institute of Technology(Swepub:uu)zhezh386 (författare)
  • Wu, DongpingFudan University (författare)
  • Lu, JunLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan (författare)
  • Åkerman, JohanGothenburg University,Göteborgs universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),Royal Institute of Technology(Swepub:gu)xkerjo (författare)
  • Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar,Royal Institute of Technology(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
  • Hultman, LarsLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)larhu75 (författare)
  • Zhang, Shi-LiUppsala universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Fasta tillståndets elektronik,Royal Institute of Technology(Swepub:uu)shizh725 (författare)
  • KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing96:30003-69511077-3118

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy