Formation of carbon vacancy in 4H silicon carbide during high-temperature processing

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Hallén Anders.) > (2010-2014) > Formation of carbon...

Ayedh, H. M. (författare)

Formation of carbon vacancy in 4H silicon carbide during high-temperature processing

Artikel/kapitelEngelska2014

Förlag, utgivningsår, omfång ...

AIP Publishing,2014
printrdacarrier

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-141062
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-141062URI
https://doi.org/10.1063/1.4837996DOI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

QC 20140210
As-grown and pre-oxidized silicon carbide (SiC) samples of polytype 4H have been annealed at temperatures up to 1950 degrees C for 10 min duration using inductive heating, or at 2000 degrees C for 30 s using microwave heating. The samples consisted of a n-type high-purity epitaxial layer grown on 4 degrees off-axis < 0001 > n(+)-substrate and the evolution of the carbon vacancy (V-C) concentration in the epitaxial layer was monitored by deep level transient spectroscopy via the characteristic Z(1/2) peak. Z(1/2) appears at similar to 0.7 eV below the conduction band edge and arises from the doubly negative charge state of V-C. The concentration of V-C increases strongly after treatment at temperatures >= 1600 degrees C and it reaches almost 10(15)cm(-3) after the inductive heating at 1950 degrees C. A formation enthalpy of similar to 5.0 eV is deduced for V-C, in close agreement with recent theoretical predictions in the literature, and the entropy factor is found to be similar to 5 k (k denotes Boltzmann's constant). The latter value indicates substantial lattice relaxation around V-C, consistent with V-C being a negative-U system exhibiting considerable Jahn-Teller distortion. The microwave heated samples show evidence of non-equilibrium conditions due to the short duration used and display a lower content of V-C than the inductively heated ones. Finally, concentration-versus-depth profiles of V-C favour formation in the "bulk" of the epitaxial layer as the prevailing process and not a Schottky type process at the surface.

Ämnesord och genrebeteckningar

4H silicon carbide
Boltzmann's constant
Conduction band edge
Formation enthalpy
High-temperature processing
Lattice relaxation
Nonequilibrium conditions
Silicon carbides (SiC)

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Bobal, V. (författare)
Nipoti, R. (författare)
Hallén, AndersKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u11ywmz1 (författare)
Svensson, B. G. (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

Ingår i:Journal of Applied Physics: AIP Publishing115:1, s. 012005-0021-89791089-7550

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Journal of Applied Physics (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Ayedh, H. M.; Bobal, V.; Nipoti, R.; Hallén, Anders; Svensson, B. G.

Artiklar i publikationen: Journal of Appli ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se