Radiation silicon carbide detectors based on ion implantation of boron

QC 20140625
Radiation detectors based on radiation-hardened semiconductor such as silicon carbide (SiC), have received considerable attention in many applications such as in outer space, high energy physics experiments, gas and oil prospection, and nuclear reactors. For the first time it was demonstrated the reliability of thermal neutron detectors realized by standard ion implantation of boron layer as a neutron converter layer. Moreover, these detectors respond to thermal neutrons and gamma rays showing different counting rates at different voltages and under different types of shielding.

Ottaviani, L. (författare)
Vervisch, V. (författare)
Szalkai, D. (författare)
Vermeeren, L. (författare)
Lyoussi, A. (författare)
Kuznetsov, A. (författare)
Lazar, M. (författare)
Klix, A. (författare)
Palais, O. (författare)
Hallén, AndersKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u11ywmz1 (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Ingår i:2013 3rd International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation, Measurement Methods and Their Applications, ANIMMA 2013: IEEE, s. 6727997-9781479910472

Av författaren/redakt...: Issa, F.; Ottaviani, L.; Vervisch, V.; Szalkai, D.; Vermeeren, L.; Lyoussi, A.; visa fler...; Kuznetsov, A.; Lazar, M.; Klix, A.; Palais, O.; Hallén, Anders; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.