A Monolithic, 500 degrees C Operational Amplifier in 4H-SiC Bipolar Technology

QC 20140812
A monolithic bipolar operational amplifier (opamp) fabricated in 4H-SiC technology is presented. The opamp has been used in an inverting negative feedback amplifier configuration. Wide temperature operation of the amplifier is demonstrated from 25 degrees C to 500 degrees C. The measured closed loop gain is around 40 dB for all temperatures whereas the 3 dB bandwidth increases from 270 kHz at 25 degrees C to 410 kHz at 500 degrees C. The opamp achieves 1.46 V/mu s slew rate and 0.25% total harmonic distortion. This is the first report on high temperature operation of a fully integrated SiC bipolar opamp which demonstrates the feasibility of this technology for high temperature analog integrated circuits.

Lanni, LuigiaKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1qiot46 (författare)
Rodriguez, SaulKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1vuponf (författare)
Malm, Bengt GunnarKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u13lag9j (författare)
Rusu, AnaKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1ymok24 (författare)
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Hedayati, Rahele ...; Lanni, Luigia; Rodriguez, Saul; Malm, Bengt Gunn ...; Rusu, Ana; Zetterling, Carl ...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.