Temperature dependence of the photoelectric conversion quantum efficiency of 4H-SiC Schottky UV photodetectors

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: WFRF:(Konstantinov V.) > Temperature depende...

Blank, T. V. (författare)

Temperature dependence of the photoelectric conversion quantum efficiency of 4H-SiC Schottky UV photodetectors

Artikel/kapitelEngelska2005

Förlag, utgivningsår, omfång ...

2005-05-23
IOP Publishing,2005
printrdacarrier

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-15017
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-15017URI
https://doi.org/10.1088/0268-1242/20/8/010DOI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

QC 20100525
Ultraviolet Schottky photodetectors based on n-4H-SiC (N-d - N-a = 4 x 10(15) cm(-3)) epitaxial layers of high purity have been fabricated. Their spectral sensitivity range is 3.2-5.3 eV peaking at 4.9 eV (quantum efficiency is about similar to 0.3 electron/photon), which is close to the bactericidal ultraviolet radiation spectrum. The temperature dependence of the quantum efficiency of 4H-SiC Schottky structure has been investigated to determine the temperature stability and the mechanism of the photoelectric conversion process. At low temperatures (78-175 K) the quantum efficiency increases with increasing temperature for all photon energy values and then tends to saturate. We suppose that some imperfections in the space-charge region act as traps that capture both photoelectrons and photoholes. After some time the trapped electron-hole pairs recombine due to the tunnelling effect. At high temperatures (more than 300 K), the second enhancement region of the quantum efficiency is observed in the photon energy range of 3.2-4.5 eV. It is connected with a phonon contribution to indirect optical transitions between the valence band and the M-point of the conduction band. When the photon energy is close to a direct optical transition threshold this enhancement region disappears. This threshold is estimated to be 4.9 eV. At photon energies more than 5 eV a drastic fall of the quantum efficiency has been observed throughout the temperature interval. We propose that in this case the photoelectrons and photoholes are bound to form hot excitons in the space-charge region due to the Brillouin zone singularity, and do not contribute to the following photoelectroconversion process.

Ämnesord och genrebeteckningar

diodes

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Goldberg, Y. A. (författare)
Kalinina, E. V. (författare)
Konstantinov, O. V. (författare)
Konstantinov, A. O. (författare)
Hallén, Anders.KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u11ywmz1 (författare)
KTHMikroelektronik och Informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

Ingår i:Semiconductor Science and Technology: IOP Publishing20:8, s. 710-7150268-12421361-6641

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Semiconductor Science and Technology (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Blank, T. V.; Goldberg, Y. A.; Kalinina, E. V.; Konstantinov, O. ...; Konstantinov, A. ...; Hallén, Anders.

Artiklar i publikationen: Semiconductor Sc ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se