Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si

QC 20100525 QC 20111012
We have performed a comparative study of B re-distribution and electrical activation after excimer laser annealing (ELA) of B and BF2 implanted Si. Chemical B concentration and electrical activation profiles were measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS) and spreading resistance profiling (SRP), respectively. SIMS data demonstrate that the presence of F does not influence significantly the re-distribution of B during ELA. A dramatic contrast, however, can be observed in the electrical activation of the dopant in the B and BF2 implanted samples. While almost 100% electrical activation of B occurs in the B implanted samples, only 20-50% of the dopant can be activated by ELA in the BF2 implanted sample. Possible mechanisms causing the deactivation of B in the BF2 implanted samples after ELA are discussed.

Svensson, B. G. (författare)
Linnarsson, Margareta K.KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP(Swepub:kth)u1x6y4ru (författare)
La Magna, A. (författare)
Italia, M. (författare)
Privitera, V. (författare)
Fortunato, G. (författare)
Cuscuna, M. (författare)
Mariucci, L. (författare)
KTHMikroelektronik och tillämpad fysik, MAP (creator_code:org_t)

Ingår i:Materials Science & Engineering: Elsevier BV124, s. 232-2340921-51071873-4944

Av författaren/redakt...: Monakhov, E. V.; Svensson, B. G.; Linnarsson, Marg ...; La Magna, A.; Italia, M.; Privitera, V.; visa fler...; Fortunato, G.; Cuscuna, M.; Mariucci, L.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.