Scanning spreading resistance microscopy of shallow doping profiles in silicon

Suchodolskis, ArturasKTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT (författare)

QC 20100525 QC 20110929. Conference: Symposium on Si-Bases Materials for Advanced Microelectronic Devices held at the 2006 E-MRS Spring Meeting. Nice, FRANCE. MAY 29-JUN 02, 2006
We demonstrate the application of scanning spreading resistance microscopy (SSRM) for characterization of shallow highly-conductive layers formed by boron implantation of lowly doped n-type silicon substrate followed by a post-implantation annealing. The electrically active dopant concentration versus depth was obtained from a cross-section of freshly cleaved samples where the Si-surface could be clearly distinguished by depositing a SiO2-layer before cleavage. To quantify free carrier concentration we calibrated our data against samples with implanted/annealed boron profiles established by secondary ion mass spectrometry (SIMS). A good fit of SSRM and SIMS data is possible for free carrier concentrations lower than 10(20) cm(-3), but for higher concentrations there is a discrepancy indicating an incomplete activation of the boron.

Hallén, Anders.KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u11ywmz1 (författare)
Gran, J. (författare)
Hansen, T. E. (författare)
Karlsson, Ulf O.KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u19hnak8 (författare)
KTHMikroelektronik och Informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Ingår i:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Elsevier BV253:02-jan, s. 141-1440168-583X1872-9584

Av författaren/redakt...: Suchodolskis, Ar ...; Hallén, Anders.; Gran, J.; Hansen, T. E.; Karlsson, Ulf O.

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.