DC field dependent properties of Na0.5K0.5NbO3/SiO2/Si structures at millimeter-wave frequencies

Abadei, S.Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

QC 20100525
Dielectric properties of laser-ablated 0.5-mum-thick c-axis epitaxial Na0.5K0.5NbO3 films on high-resistivity (7.7 Omega cm) silicon SiO2/Si substrate are studied experimentally at frequencies up to 40 GHz. For measurements, planar 0.5-mum-thick gold electrodes (interdigital and straight slot) are photolithography defined on the top surface of Na0.5K0.5NbO3 films. The slot width between the electrodes is 2 or 4 mum. 13% capacitance change at 40 V dc bias and Q factor more than 15 are observed at 40 GHz, which makes the structure useful for applications in electrically tunable millimeter-wave devices.

Gevorgian, Spartak,1948Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)spartak (författare)
Cho, C. R. (författare)
Grishin, Alexander M.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u179x9xt (författare)
Andreasson, J. (författare)
Lindback, T. (författare)
Grishin, Alex (författare)
Chalmers tekniska högskolaMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing78:13, s. 1900-19020003-69511077-3118

Av författaren/redakt...: Abadei, S.; Gevorgian, Spart ...; Cho, C. R.; Grishin, Alexand ...; Andreasson, J.; Lindback, T.; visa fler...; Grishin, Alex; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.