Solubility limit and precipitate formation in Al-doped 4H-SiC epitaxial material

Linnarsson, Margareta K.KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P. O. Box E229, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden (författare)

QC 20100525
Heavily Al-doped 4H-SiC structures have been prepared by vapor phase epitaxy. Subsequent anneals have been carried out in an Ar atmosphere in a rf-heated furnace between 1500 degreesC and 2000 degreesC for 0.5 to 3 h. Secondary ion mass spectrometry has been utilized to obtain Al concentration versus depth as well as lateral distributions (ion images). Transmission electron microscopy (TEM) has been employed to study the crystallinity and determine phase composition after heat treatment. A solubility limit of similar to 2x10(20) Al/cm(3) (1900 degreesC) is extracted. Three-dimensional ion images show that the Al distribution does not remain homogeneous in layers heat treated at 1700 degreesC or above when the Al concentration exceeds 2x10(20) cm(-3). Al-containing precipitates are identified by energy-filtered TEM.

Janson, M. S.Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P. O. Box E229, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden (författare)
Zimmermann, U.Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P. O. Box E229, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden (författare)
Svensson, B. G.Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, P. O. Box E229, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden, Oslo University, Physical Electronics, Department of Physics, P. B. 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway (författare)
Persson, PerLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)perpe25 (författare)
Hultman, LarsLinköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik(Swepub:liu)larhu75 (författare)
Wong-Leung, J.Australian National University, Dept. of Electronics Mat. Eng., Res. Sch. of Phys. Sci. and Eng., Canberra, ACT 0200, Australia (författare)
Karlsson, S.ACREO AB, P. O. Box E236, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden (författare)
Schoner, A.Schöner, A., ACREO AB, P. O. Box E236, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden (författare)
Bleichner, H.ABB Corporate Research, P. O. Box E215, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden (författare)
Olsson, E.Ångström Laboratory, Analytical Material Physics, SE-751 21 Uppsala, Sweden (författare)
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing79:13, s. 2016-20180003-69511077-3118

Av författaren/redakt...: Linnarsson, Marg ...; Janson, M. S.; Zimmermann, U.; Svensson, B. G.; Persson, Per; Hultman, Lars; visa fler...; Wong-Leung, J.; Karlsson, S.; Schoner, A.; Bleichner, H.; Olsson, E.; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.