SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Khartsev Sergiy)
 

Sökning: WFRF:(Khartsev Sergiy) > High-performance ep...

High-performance epitaxial Na0.5K0.5NbO3 thin films by magnetron sputtering

Blomqvist, Mats (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Department of Condensed Matter Physics, Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
Koh, Jung-Hyuk (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Department of Condensed Matter Physics, Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
Khartsev, Sergiy (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT,Department of Condensed Matter Physics, Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
visa fler...
Grishin, Alexander M. (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
Andréasson, Johanna (författare)
Luleå tekniska universitet
Grishin, Alex (författare)
Department of Condensed Matter Physics, Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2002
2002
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 81:2, s. 337-339
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Epitaxial Na0.5K0.5NbO3 (NKN) thin films have been grown on LaAlO3 substrates by rf magnetron sputtering of a stoichiometric, high-density, ceramic target. X-ray diffraction analysis showed c-axis oriented cube-on-cube growth. Micrometer size interdigital capacitor (IDC) structures were defined on the surface of the NKN film using photolithography. The electrical characterization at 1 MHz showed dissipation factor tan delta of 0.010, tunability 16.5% at 200 kV/cm and dielectric permittivity epsilon(r)=470. The frequency dispersion of epsilon(r) between 1 kHz and 1 MHz was 8.5% and the IDCs showed very good insulating properties with leakage current density on the order of 30 nA/cm(2) at 400 kV/cm. The polarization loop exhibits weak ferroelectric hysteresis with maximum polarization 23.5 muC/cm(2) at 600 kV/cm. These results are promising for tunable microwave devices based on rf sputtered NKN thin films.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

interdigital capacitors
Functional materials
Funktionella material
Engineering Materials

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy