4H-SiC pseudo-CMOS logic inverters for harsh environment electronics

QC 20171027
For logic gate with higher voltage swing, 4H-SiC pseudo-CMOS logic inverter with four nMOS was suggested and demonstrated, and a high voltage swing of 4.4 V was achieved at VDD=5 V. Simple nMOS inverters were also investigated. Both of pseudo-CMOS and nMOS inverters were operated at a high temperature of 200ºC. For future SiC large integrated circuits, junction leakage current between n+ regions were also investigated with the comb-shaped test elements.

Kurose, T. (författare)
Nagatsuma, H. (författare)
Ishikawa, S. (författare)
Maeda, T. (författare)
Sezaki, H. (författare)
Kikkawa, T. (författare)
Makino, T. (författare)
Ohshima, T. (författare)
Östling, MikaelKTH,Elektronik(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
KTHElektronik (creator_code:org_t)

Ingår i:11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016: Trans Tech Publications, s. 669-6729783035710434

Av författaren/redakt...: Kuroki, S. -I; Kurose, T.; Nagatsuma, H.; Ishikawa, S.; Maeda, T.; Sezaki, H.; visa fler...; Kikkawa, T.; Makino, T.; Ohshima, T.; Östling, Mikael; Zetterling, Carl ...; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.