A 220-325 GHz Low-Loss Micromachined Waveguide Power Divider

QC 20171218
A J-band (220-325 GHz) silicon micromachined waveguide power divider based on a tee-shape topology is presented. To characterise the power divider a test circuit was designed with one output path connected using a low return loss 90° multi-stepped bend while the other output path uses an onchip matched waveguide load filled with an absorbing material. The power divider is fabricated using a micromachined waveguide technology employing a double H-plane split which results in low losses. Measured transmission and reflection coefficients are equal to -3.5 dB ± 0.4 dB at 231-330 GHz and between -10 dB and -20 dB at 220-320 GHz, respectively. A good agreement between the simulated and measured data was obtained by taking the microfabrication sidewall profile (undercut) into account in the simulations. To the best of our knowledge, this is the first time a low-loss micromachined power divider of this type is characterised within this frequency range.

Gustafsson, AndreasFOI (författare)
Svedin, JanFOI (författare)
Beuerle, Bernhard,1983-KTH,Mikro- och nanosystemteknik(Swepub:kth)u1s83yh6 (författare)
Shah, Umer,1982-KTH,Mikro- och nanosystemteknik(Swepub:kth)u14ptvpw (författare)
Oberhammer, Joachim,1976-KTH,Mikro- och nanosystemteknik(Swepub:kth)u12600dy (författare)
FOIMikro- och nanosystemteknik (creator_code:org_t)

Ingår i:Proceedings of the 2017 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC): IEEE, s. 291-294

Av författaren/redakt...: Malmqvist, Rober ...; Gustafsson, Andr ...; Svedin, Jan; Beuerle, Bernhar ...; Shah, Umer, 1982 ...; Oberhammer, Joac ...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.