SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21829"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21829" > Reduction of the Sc...

  • Lee, S. K. (författare)

Reduction of the Schottky barrier height on silicon carbide using Au nano-particles

  • Artikel/kapitelEngelska2002

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2002
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-21829
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-21829URI
  • https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00122-3DOI
  • https://lup.lub.lu.se/record/330238URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20100525
  • By the incorporation of size-selected Au nano-particles in Ti Schottky contacts on silicon carbide, we could observe considerably lower the barrier height of the contacts. This result could be obtained for both n- and p-type Schottky contacts using current-voltage and capacitance voltage measurements. For n-type Schottky contacts, we observed reductions of 0.19-0.25 eV on 4H-SiC and 0.15-0.17 eV on 6H-SiC as compared with particle-free Ti Schottky contacts. For p-type SiC, the reduction was a little lower with 0.02-0.05 eV on 4H- and 0.10-0.13 eV on 6H-SiC. The reduction of the Schottky barrier height is explained using a model with enhanced electric field at the interface due to the small size of the circular patch and the large difference of the barrier height between Ti and Au.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Zetterling, Carl-MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
  • Östling, MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
  • Aberg, I. (författare)
  • Magnusson, MartinLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-mm (författare)
  • Deppert, KnutLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-kde (författare)
  • Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe (författare)
  • Samuelson, LarsLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lsa (författare)
  • Litwin, A. (författare)
  • KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Solid-State Electronics46:9, s. 1433-14400038-11011879-2405

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy