Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-21829" >
Reduction of the Sc...
Reduction of the Schottky barrier height on silicon carbide using Au nano-particles
- Artikel/kapitelEngelska2002
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-21829
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-21829URI
-
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00122-3DOI
-
https://lup.lub.lu.se/record/330238URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100525
-
By the incorporation of size-selected Au nano-particles in Ti Schottky contacts on silicon carbide, we could observe considerably lower the barrier height of the contacts. This result could be obtained for both n- and p-type Schottky contacts using current-voltage and capacitance voltage measurements. For n-type Schottky contacts, we observed reductions of 0.19-0.25 eV on 4H-SiC and 0.15-0.17 eV on 6H-SiC as compared with particle-free Ti Schottky contacts. For p-type SiC, the reduction was a little lower with 0.02-0.05 eV on 4H- and 0.10-0.13 eV on 6H-SiC. The reduction of the Schottky barrier height is explained using a model with enhanced electric field at the interface due to the small size of the circular patch and the large difference of the barrier height between Ti and Au.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u15o61ns
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
Aberg, I.
(författare)
-
Magnusson, MartinLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-mm
(författare)
-
Deppert, KnutLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-kde
(författare)
-
Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe
(författare)
-
Samuelson, LarsLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lsa
(författare)
-
Litwin, A.
(författare)
-
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Solid-State Electronics46:9, s. 1433-14400038-11011879-2405
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas