SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Cho H. S.)
 

Sökning: WFRF:(Cho H. S.) > (2000-2004) > Na0.5K0.5NbO3 thin ...

Na0.5K0.5NbO3 thin films for MFIS_FET type non-volatile memory applications

Cho, C. R. (författare)
Park, S. H. (författare)
Moon, B. M. (författare)
visa fler...
Sundqvist, J. (författare)
Harsta, A. (författare)
Grishin, Alexander M. (författare)
KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2002
2002
Engelska.
Ingår i: Integrated Ferroelectrics. - 1058-4587 .- 1607-8489. ; 49, s. 21-30
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Na0.5K0.5NbO3(NKN) thin films have been prepared on Pt80Ir20, SiO2/Si, and Ta2O5/Si substrates for ferroelectric non-volatile memory applications. Ferroelectric hysteresis loops for Au/NKN/Pt80Ir20 vertical capacitor yielded remnant polarization of 12 muC/cm(2) and coercive field similar to20 kV/cm. Significant flat-band voltage V-FB shifts with buffer layer thickness in Au/NKN/SiO2/Si structures have been attributed to the intermixing between Na and K alkali ions and SiO2 layer. On the other hand, Au/NKN/Ta2O5/Si structure exhibited wide memory window without significant V-FB deviations, low leakage currents, and rather long retention time at zero bias.

Nyckelord

Na0.5K0.5NbO3 (NKN) thin film
Au/NKN/Ta2O5/Si
MFIS_diode
ferroelectric non-volatile memory
pulsed-laser deposition
varactor

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy