A SiC BJT-Based Negative Resistance Oscillator for High-Temperature Applications

QC 20190311
This brief presents a 59.5 MHz negative resistanceoscillator for high-temperature operation. The oscillator employs an in-house 4H-SiC BJT, integrated with the requiredcircuit passives on a low-temperature co-fired ceramic substrate. Measurements show that the oscillator operates from room-temperature up to 400 C. The oscillator delivers an output◦power of 11.2 dBm into a 50 Ω load at 25 C, which decreases to 8.4 dBm at 400 C. The oscillation frequency varies by 3.3% in the entire temperature range. The oscillator is biased witha collector current of 35 mA from a 12 V supply and has amaximum DC power consumption of 431 mW.

Elahipanah, HosseinKTH,Integrerade komponenter och kretsar,Ascatron AB(Swepub:kth)u1ve1t1u (författare)
Zumbro, John E.University of Arkansas (författare)
Rodriguez, SaulKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1vuponf (författare)
Malm, B. Gunnar,1972-KTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u13lag9j (författare)
Mantooth, H. AlanUniversity of Arkansas (författare)
Rusu, Ana,1959-KTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1ymok24 (författare)
KTHElektronik och inbyggda system (creator_code:org_t)

Ingår i:IEEE Journal of the Electron Devices Society: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)7:1, s. 191-1952168-6734

Av författaren/redakt...: Hussain, Muhamma ...; Elahipanah, Hoss ...; Zumbro, John E.; Rodriguez, Saul; Malm, B. Gunnar, ...; Mantooth, H. Ala ...; visa fler...; Rusu, Ana, 1959-; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.