SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-26005"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-26005" > Strong inter-conduc...

  • Canestraro, Carla DanieleKTH,Materialvetenskap (författare)

Strong inter-conduction-band absorption in heavily fluorine doped tin oxide

  • Artikel/kapitelEngelska2008

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Elsevier BV,2008
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-26005
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-26005URI
  • https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.06.113DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20101109 Uppdaterad från submitted till published 20101109.
  • The optical, electrical and structural properties of thin. film tin oxide (TO), F-doped tin oxide (FTO; n(F) approximate to 6 x 10(20) cm (3)) and highly F-doped tin oxide (hFTO; n(F) approximate to 10 x 10(20) cm (3)), grown by spray pyrolysis technique, are studied by atomic force microscopy, Hall effect, X-ray. fluorescence and transmission/reflection measurements. The resistivity (rho = 32 x 10 (4) Omega cm for intrinsic tin oxide) shows intriguing characteristics when F concentration n(F) is increased (rho = 6 x 10 (4) Omega cm for FTO but 25 x 10 (4) Omega cm for hFTO) whereas the carrier concentration is almost constant at high F concentration (n(c) approximate to 6 x 10(20) cm (3) for FTO and hFTO). Thus, F seems to act both as a donor and a compensating acceptor in hFTO. The high carrier concentration has a strong effect on the optical band-edge absorption. Whereas intrinsic TO has room-temperature band-gap energy of E-g approximate to 3.2 eV with an onset to absorption at about 3.8 eV, the highly doped FTO and hFTO samples show relatively strong absorption at 2-3 eV. Theoretical analysis based on density functional calculations of FTO reveals that this is not a defect state within the band-gap region, but instead a consequence of a hybridization of the F donor states with the host conduction band in combination with a band. filling of the lowest conduction band by the free carriers. This allows photon-assisted inter-conduction band transitions of the free electrons to energetically higher and empty conduction bands, producing the below-gap absorption peak.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Oliveira, Marcela M.Departamento de Química, Universidade Federal do Paraná (författare)
  • Valaski, RogerioDepartamento de Física, Universidade Federal do Paraná (författare)
  • da Silva, Marcus V. S.Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia (författare)
  • David, Denis G. F.Instituto de Física, Universidade Federal da Bahia (författare)
  • Pepe, IuriInstituto de Física, Universidade Federal da Bahia (författare)
  • Ferreira da Silva, AntonioInstituto de Física, Universidade Federal da Bahia (författare)
  • Roman, Lucimara S.Departamento de Física, Universidade Federal do Paraná (författare)
  • Persson, ClasKTH,Materialvetenskap(Swepub:kth)u16hf74r (författare)
  • KTHMaterialvetenskap (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Surface Science: Elsevier BV255:5, s. 1874-18790169-43321873-5584

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy