SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Berggren R)
 

Sökning: WFRF:(Berggren R) > (2010-2014) > Long-wavelength inf...

Long-wavelength infrared quantum-dot based interband photodetectors

Gustafsson, Oscar (författare)
KTH,Integrerade komponenter och kretsar
Berggren, Jesper (författare)
KTH,Integrerade komponenter och kretsar
Ekenberg, Ulf (författare)
KTH,Fotonik
visa fler...
Hallén, Anders (författare)
KTH,Integrerade komponenter och kretsar
Hammar, Mattias (författare)
KTH,Integrerade komponenter och kretsar
Höglund, L. (författare)
Karim, A. (författare)
Noharet, B. (författare)
Wang, Q. (författare)
Gromov, A. (författare)
Almqvist, S. (författare)
Zhang, A. (författare)
Acreo, Sweden
Junique, S. (författare)
Andersson, J. Y. (författare)
Asplund, C. (författare)
von Würtemberg, R. Marcks (författare)
Malm, H. (författare)
Martijn, H. (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Elsevier BV, 2011
2011
Engelska.
Ingår i: Infrared physics & technology. - : Elsevier BV. - 1350-4495 .- 1879-0275. ; 54:3, s. 287-291
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report on the design and fabrication of (Al)GaAs(Sb)/InAs tensile strained quantum-dot (QD) based detector material for thermal infrared imaging applications in the long-wavelength infrared (LWIR) regime. The detection is based on transitions between confined dot states and continuum states in a type-II band lineup, and we therefore refer to it as a dot-to-bulk (D2B) infrared photodetector with expected benefits including long carrier lifetime due to the type-II band alignment, suppressed Shockley-Read-Hall generation-recombination due to the relatively large-bandgap matrix material, inhibited Auger recombination processes due to the tensile strain and epitaxial simplicity. Metal-organic vapor-phase epitaxy was used to grow multiple (Al)GaAs(Sb) QD layers on InAs substrates at different QD nominal thicknesses, compositions, doping conditions and multilayer periods, and the material was characterized using atomic force and transmission electron microscopy, and Fourier-transform infrared absorption spectroscopy. Dot densities up to 1 x 10(11) cm(-2), 1 x 10(12) cm(-2) and 3 x 10(10) cm(-2) were measured for GaAs, AlGaAs and GaAsSb QDs, respectively. Strong absorption in GaAs, AlGaAs and GaAsSb multilayer QD samples was observed in the wavelength range 6-12 mu m. From the wavelength shift in the spectral absorption for samples with varying QD thickness and composition it is believed that the absorption is due to an intra- valance band transition. From this it is possible to estimate the type-II inter-band transition wavelength, thereby suggesting that (Al)GaAs(Sb) QD/InAs heterostructures are suitable candidates for LWIR detection and imaging.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

Photodetector
LWIR
QD
MOVPE
Electrical engineering, electronics and photonics
Elektroteknik, elektronik och fotonik

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy