SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(KANSKI J)
 

Sökning: WFRF:(KANSKI J) >

  • Laukkanen, P.Turun Yliopisto,University of Turku,Tammerfors tekniska universitet,Tampere University of Technology (författare)

Ultrathin (1x2)-Sn layer on GaAs(100) and InAs(100) substrates : A catalyst for removal of amorphous surface oxides

  • Artikel/kapitelEngelska2011

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • AIP Publishing,2011
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-35636
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-35636URI
  • https://doi.org/10.1063/1.3596702DOI
  • https://lup.lub.lu.se/record/2056848URI
  • https://research.chalmers.se/publication/143126URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20110704
  • Amorphous surface oxides of III-V semiconductors are harmful in many contexts of device development. Using low-energy electron diffraction and photoelectron spectroscopy, we demonstrate that surface oxides formed at Sn-capped GaAs(100) and InAs(100) surfaces in air are effectively removed by heating. This Sn-mediated oxide desorption procedure results in the initial well-defined Sn-stabilized (1x2) surface even for samples exposed to air for a prolonged time. Based on ab initio calculations we propose that the phenomenon is due to indirect and direct effects of Sn. The Sn-induced surface composition weakens oxygen adsorption.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Punkkinen, Marko Patrick JohnKTH,Materialvetenskap,Russian Academy of Sciences,Kungliga Tekniska Högskolan (KTH),Royal Institute of Technology (KTH),Turun Yliopisto,University of Turku(Swepub:kth)u1vmlqqu (författare)
  • Lång, J.Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Tuominen, M.Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Kuzmin, M.Lunds universitet,Lund University,Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Tuominen, V.Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Dahl, J.Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Adell, JohanLund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory,Polish Academy of Sciences(Swepub:cth)adell (författare)
  • Sadowski, JanuszLund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory,Polish Academy of Sciences,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:lu)maxl-jsa (författare)
  • Kanski, Janusz,1946Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)f1xjk (författare)
  • Polojärvi, V.Tammerfors tekniska universitet,Tampere University of Technology (författare)
  • Pakarinen, J.Teknologian Tutkimuskeskus (VTT),Technical Research Centre of Finland (VTT) (författare)
  • Kokko, K.Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Guina, M.Tammerfors tekniska universitet,Tampere University of Technology (författare)
  • Pessa, M.Tammerfors tekniska universitet,Tampere University of Technology (författare)
  • Väyrynen, I. J.Turun Yliopisto,University of Turku (författare)
  • Turun YliopistoTammerfors tekniska universitet (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing98:23, s. 231908-1-231908-30003-69511077-3118

Internetlänk

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy