High current gain silicon carbide bipolar power transistors

QC 20111007
Silicon carbide NPN bipolar junction transistors were fabricated and a current gain exceeding 60 was obtained for a BJT with a breakdown voltage BV(CEO)=1100 V. A reduction of the current gain was observed after contact annealing at 950 degrees C and this was attributed to degradation of the oxide passivation. Device simulations with varying emitter doping resulted in a maximum current gain for an emitter doping around 1(.)10(19) cm(-3). Resistive turn-off measurements were performed and a minimum collector-emitter voltage (V(CE)) rise-time of 40 ns was found. The VCE rise-time showed a clear dependence on the on-state base current thus indicating a significant stored charge.

Lee, Hyung-SeokKTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP(Swepub:kth)u1328xo5 (författare)
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP(Swepub:kth)u15o61ns (författare)
Östling, MikaelKTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
Schöner, Adolf (författare)
KTHMikroelektronik och tillämpad fysik, MAP (creator_code:org_t)

Ingår i:Proceedings of the 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, s. 141-144

Av författaren/redakt...: Domeij, Martin; Lee, Hyung-Seok; Zetterling, Carl ...; Östling, Mikael; Schöner, Adolf

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.