Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends

Navigation aids in the search for future high-k dielectrics : Physical and electrical trends

QC 20120305
From experimental literature data on metal oxides combined with theoretical estimates, we present empirical relations for k-values and energy band offset values, that can be used in the search for gate dielectric materials fulfilling the needs of future CMOS generations. Only a few materials investigated so far have properties meeting the demands for k and energy band offset values in the development of CMOS down to 22 nm. (c) 2007 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Raeissi, B. (författare)
Hall, S. (författare)
Buiu, O. (författare)
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany(Swepub:kth)u1m2eozy (författare)
Gottlob, H. D. B. (författare)
Hurley, P. K. (författare)
Cherkaoui, K. (författare)
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Engstrom, O.; Raeissi, B.; Hall, S.; Buiu, O.; Lemme, Max C., 1 ...; Gottlob, H. D. B ...; visa fler...; Hurley, P. K.; Cherkaoui, K.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.