Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-50542" >
Leakage current mec...
-
Gottlob, H. D. B.
(författare)
Leakage current mechanisms in epitaxial Gd(2)O(3) high-k gate dielectrics
- Artikel/kapitelEngelska2008
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
The Electrochemical Society,2008
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-50542
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-50542URI
-
https://doi.org/10.1149/1.2828201DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20120209
-
We report on leakage current mechanisms in epitaxial gadolinium oxide (Gd(2)O(3)) high-k gate dielectrics suitable for low standby power logic applications. The investigated p-type metal-oxide-semi con doctor capacitors are gated with complementary-metal-oxide-semiconductor-compatible fully silicided nickel silicide electrodes. The Gd(2)O(3) thickness is 5.9 nm corresponding to a capacitance equivalent oxide thickness of 1.8 nm. Poole-Frenkel conduction is identified as the main leakage mechanism with the high-frequency permittivity describing the dielectric response on the carriers. A trap level of Phi(T) = 1.2 eV is extracted. The resulting band diagram strongly suggests hole conduction to be dominant over electron conduction.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Echtermeyer, T. J.
(författare)
-
Schmidt, M.
(författare)
-
Mollenhauer, T.
(författare)
-
Wahlbrink, T.
(författare)
-
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany(Swepub:kth)u1m2eozy
(författare)
-
Kurz, H.
(författare)
-
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Electrochemical and solid-state letters: The Electrochemical Society11:3, s. G12-G141099-00621944-8775
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas