Sökning: WFRF:(Lemme Max C. 1970 ) >
Extracting the rela...
Extracting the relative dielectric constant for "high-k layers" from CV measurements : Errors and error propagation
- Artikel/kapitelEngelska2007
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Elsevier BV,2007
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-50556
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-50556URI
-
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2007.01.006DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20120306
-
The paper pursues an investigation of the errors associated with the extraction of the dielectric constant (i.e., kappa value) from capacitance-voltage measurements on metal oxide semiconductor capacitors. The existence of a transition layer between the high-rc dielectric and the silicon substrate is a factor that affects - in general - the assessment of the electrical data, as well as the extraction of rc. A methodology which accounts for this transition layer and the errors related to other parameters involved in the k value extraction is presented; moreover, we apply this methodology to experimental CV results on HfO2/SiOx/Si structures produced in different conditions.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Hall, S.
(författare)
-
Engstrom, O.
(författare)
-
Raeissi, B.
(författare)
-
Lemme, Max C.,1970-AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany(Swepub:kth)u1m2eozy
(författare)
-
Hurley, P. K.
(författare)
-
Cherkaoui, K.
(författare)
-
AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Microelectronics and reliability: Elsevier BV47:4-5, s. 678-6810026-27141872-941X
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas