SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Yu J. S.)
 

Sökning: WFRF:(Yu J. S.) > (1995-1999) > Diffusion of phosph...

  • Kuznetsov, A.Yu. (författare)

Diffusion of phosphorus in strained Si/SiGe/Si heterostructures

  • Artikel/kapitelEngelska1999

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • San Francisco, CA, USA,1999
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-63034
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-63034URI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • References: Harame, D.L., Comfort, J.H., Cressler, J.D., Crabbé, E.F., Sun, J.Y.-C., Meyerson, B.S., Tice, T., (1995) IEEE Trans.ED, 42, p. 455; Cowern, N.E.B., Zalm, P.C., Gravesteijn, D.J., De Boer, W.B., (1994) Phys.Rev.Lett., 72, p. 2585; Kuo, P., Hoyt, J.L., Gibbson, J.F., Turner, J.E., Lefforge, D., (1995) Appl.Phys.Lett., 66, p. 580; KringhÞj, P., Nylandsted Larsen, A., Shirayev, S.Yu., (1996) Phys.Rev.Lett, 76, p. 3372; Kuznetsov, A.Yu., Cardenas, J., Svensson, B.G., Lundsgaard Hansen, J., Nylandsted Larsen, A., (1999) Phys. Rev. B., 59, p. 7274; Hu, S.M., Ahlgren, D.C., Ronsheim, P.A., Chu, J.O., (1991) Phys.Rev.Lett., 67, p. 1450; Aziz, M.J., (1997) Appl. Phys. Lett., 70, p. 2810; Kuznetsov, A.Yu., Cardenas, J., Grahn, J., Svensson, B.G., Lundsgaard Hansen, J., Nylandsted Larsen, A., (1998) Phys. Rev. B., 58, pp. R13355; Kuo, P., Hoyt, J.L., Gibbson, J.F., Turner, J.E., Lefforge, D., (1995) Appl.Phys.Lett., 67, p. 706; Kuo, P., Hoyt, J.L., Gibbson, J.F., Turner, J.E., Lefforge, D., (1995) Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 379, p. 373; Fahey, P.M., Griffin, P.B., Plummér, J.D., (1989) Rev.Mod.Phys., 61, p. 289; Hu, S.M., (1974) J.Appl.Phys., 45, p. 1567; Dunlap Jr., W.C., (1954) Phys.Rev., 94, p. 1531; Zhao, Y., Aziz, M.J., Gossmann, H.-J., Mitha, S., Schiferl, D., (1999) Appl.Phys.Lett., 74, p. 31 NR 20140805
  • Phosphorus diffusion in a biaxially compressed Si0.87Ge0.13 film has been investigated in the temperature range of 810-900 °C. A significant enhancement of the P diffusion in the biaxially compressed Si0.87Ge0.13 in comparison with P diffusion in Si is observed. Injection of Si self-interstitials (I) during oxidation of a Si-cap in Si/Si0.87Ge0.13/Si heterostructures is used to characterize the atomic mechanism of P diffusion in Si0.87Ge0.13. It is found that the upper limit of the interstitial fraction of the P diffusion in Si0.87Ge0.13 is 0.87 of that in Si. A comparison between B and P diffusivities in SiGe supports the hypothesis of the pairing-controlled mechanism for the diffusion of B in SiGe.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Christensen, J. S. (författare)
  • Linnarsson, M. K.KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)(Swepub:kth)u1x6y4ru (författare)
  • Svensson, B. G. (författare)
  • Radamson, H. H. (författare)
  • Grahn, J. (författare)
  • Landgren, G. (författare)
  • KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT) (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Materials Research Society Symposium - ProceedingsSan Francisco, CA, USA568:Warrendale, PA, United States, s. 271-276

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy