Sökning: WFRF:(Yu J. S.)
> (1995-1999) >
Diffusion of phosph...
-
Kuznetsov, A.Yu.
(författare)
Diffusion of phosphorus in strained Si/SiGe/Si heterostructures
- Artikel/kapitelEngelska1999
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
San Francisco, CA, USA,1999
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-63034
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-63034URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
References: Harame, D.L., Comfort, J.H., Cressler, J.D., Crabbé, E.F., Sun, J.Y.-C., Meyerson, B.S., Tice, T., (1995) IEEE Trans.ED, 42, p. 455; Cowern, N.E.B., Zalm, P.C., Gravesteijn, D.J., De Boer, W.B., (1994) Phys.Rev.Lett., 72, p. 2585; Kuo, P., Hoyt, J.L., Gibbson, J.F., Turner, J.E., Lefforge, D., (1995) Appl.Phys.Lett., 66, p. 580; KringhÞj, P., Nylandsted Larsen, A., Shirayev, S.Yu., (1996) Phys.Rev.Lett, 76, p. 3372; Kuznetsov, A.Yu., Cardenas, J., Svensson, B.G., Lundsgaard Hansen, J., Nylandsted Larsen, A., (1999) Phys. Rev. B., 59, p. 7274; Hu, S.M., Ahlgren, D.C., Ronsheim, P.A., Chu, J.O., (1991) Phys.Rev.Lett., 67, p. 1450; Aziz, M.J., (1997) Appl. Phys. Lett., 70, p. 2810; Kuznetsov, A.Yu., Cardenas, J., Grahn, J., Svensson, B.G., Lundsgaard Hansen, J., Nylandsted Larsen, A., (1998) Phys. Rev. B., 58, pp. R13355; Kuo, P., Hoyt, J.L., Gibbson, J.F., Turner, J.E., Lefforge, D., (1995) Appl.Phys.Lett., 67, p. 706; Kuo, P., Hoyt, J.L., Gibbson, J.F., Turner, J.E., Lefforge, D., (1995) Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 379, p. 373; Fahey, P.M., Griffin, P.B., Plummér, J.D., (1989) Rev.Mod.Phys., 61, p. 289; Hu, S.M., (1974) J.Appl.Phys., 45, p. 1567; Dunlap Jr., W.C., (1954) Phys.Rev., 94, p. 1531; Zhao, Y., Aziz, M.J., Gossmann, H.-J., Mitha, S., Schiferl, D., (1999) Appl.Phys.Lett., 74, p. 31 NR 20140805
-
Phosphorus diffusion in a biaxially compressed Si0.87Ge0.13 film has been investigated in the temperature range of 810-900 °C. A significant enhancement of the P diffusion in the biaxially compressed Si0.87Ge0.13 in comparison with P diffusion in Si is observed. Injection of Si self-interstitials (I) during oxidation of a Si-cap in Si/Si0.87Ge0.13/Si heterostructures is used to characterize the atomic mechanism of P diffusion in Si0.87Ge0.13. It is found that the upper limit of the interstitial fraction of the P diffusion in Si0.87Ge0.13 is 0.87 of that in Si. A comparison between B and P diffusivities in SiGe supports the hypothesis of the pairing-controlled mechanism for the diffusion of B in SiGe.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Christensen, J. S.
(författare)
-
Linnarsson, M. K.KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)(Swepub:kth)u1x6y4ru
(författare)
-
Svensson, B. G.
(författare)
-
Radamson, H. H.
(författare)
-
Grahn, J.
(författare)
-
Landgren, G.
(författare)
-
KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Materials Research Society Symposium - ProceedingsSan Francisco, CA, USA568:Warrendale, PA, United States, s. 271-276
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas