Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7507" >
A robust spacer gat...
-
Hållstedt, JuliusKTH,VinnExcellence Center for Intelligence in Paper and Packaging, iPACK
(författare)
A robust spacer gate process for deca-nanometer high-frequency MOSFETs
- Artikel/kapitelEngelska2006
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Elsevier BV,2006
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-7507
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-7507URI
-
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.11.008DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100715
-
This paper, presents a robust spacer technology for definition of deca-nanometer gate length MOSFETs. Conformal deposition, selective anisotropic dry-etching and selective removal of sacrificial layers enabled patterning of an oxide hard mask with deca-nanometer lines combined with structures defined with I-line lithography on a wafer. The spacer gate technology produces negligible topographies on the hard mask and no residual particles could be detected on the wafer. The line-width roughness of 40 nm poly-Si gate lines was 4 nm and the conductance of 200 pm long lines exhibited a standard deviation of 6% across a wafer. nMOSFETs with 45 nm gate length exhibited controlled short-channel effects and the average maximum transconductance in saturation was 449 mu S/mu m with a standard deviation of 3.7% across a wafer. The devices exhibited a cut-off frequency above 100 GHz at a drain current of 315 mu A/mu m. The physical and electrical results show that the employed spacer gate technology is robust and can define deca-nanometer nMOSFETs with high yield and good uniformity.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Hellström, Per-ErikKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1wc1lgb
(författare)
-
Zhang, ZhenKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1rqshf6
(författare)
-
Malm, B. GunnarKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u13lag9j
(författare)
-
Edholm, Jonas
(författare)
-
Lu, J.Uppsala University, Ångström Laboratory
(författare)
-
Zhang, Shi-LiKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1a28qyq
(författare)
-
Radamson, HenryKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1g2cqgr
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
KTHVinnExcellence Center for Intelligence in Paper and Packaging, iPACK
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Microelectronic Engineering: Elsevier BV83:3, s. 434-4390167-93171873-5568
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas