SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7507"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-7507" > A robust spacer gat...

  • Hållstedt, JuliusKTH,VinnExcellence Center for Intelligence in Paper and Packaging, iPACK (författare)

A robust spacer gate process for deca-nanometer high-frequency MOSFETs

  • Artikel/kapitelEngelska2006

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Elsevier BV,2006
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-7507
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-7507URI
  • https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.11.008DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • QC 20100715
  • This paper, presents a robust spacer technology for definition of deca-nanometer gate length MOSFETs. Conformal deposition, selective anisotropic dry-etching and selective removal of sacrificial layers enabled patterning of an oxide hard mask with deca-nanometer lines combined with structures defined with I-line lithography on a wafer. The spacer gate technology produces negligible topographies on the hard mask and no residual particles could be detected on the wafer. The line-width roughness of 40 nm poly-Si gate lines was 4 nm and the conductance of 200 pm long lines exhibited a standard deviation of 6% across a wafer. nMOSFETs with 45 nm gate length exhibited controlled short-channel effects and the average maximum transconductance in saturation was 449 mu S/mu m with a standard deviation of 3.7% across a wafer. The devices exhibited a cut-off frequency above 100 GHz at a drain current of 315 mu A/mu m. The physical and electrical results show that the employed spacer gate technology is robust and can define deca-nanometer nMOSFETs with high yield and good uniformity.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Hellström, Per-ErikKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1wc1lgb (författare)
  • Zhang, ZhenKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1rqshf6 (författare)
  • Malm, B. GunnarKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u13lag9j (författare)
  • Edholm, Jonas (författare)
  • Lu, J.Uppsala University, Ångström Laboratory (författare)
  • Zhang, Shi-LiKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1a28qyq (författare)
  • Radamson, HenryKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1g2cqgr (författare)
  • Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
  • KTHVinnExcellence Center for Intelligence in Paper and Packaging, iPACK (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Microelectronic Engineering: Elsevier BV83:3, s. 434-4390167-93171873-5568

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy