Sökning: (WFRF:(von Haartman Martin)) >
Hole mobility in ul...
Hole mobility in ultrathin body SOI pMOSFETs with SiGe or SiGeC channels
-
- Hållstedt, Julius (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
- von Haartman, Martin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Radamson, Henry (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 27:6, s. 466-468
- Relaterad länk:
-
http://ieeexplore.ie...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The hole mobilities of SiGe and SiGeC channel pMOSFETs fabricated on ultrathin silicon-on-insulator substrates are investigated and compared with reference Si channel devices. The total thickness of the fully depleted Si/SiGe(C)/Si body structure is similar to 25 nm. All devices demonstrated a near ideal subthreshold behavior, and the drive current and mobility were increased with more than 60% for SiGe and SiGeC channels. When comparing SIMOX and UNIBOND substrates, no significant difference could be detected.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Fully depleted (FD); Heterostructure; Mobility; MOSFETs; SiGe; SiGeC; Silicon-on-insulator (SOI) technology
- Semiconductor physics
- Halvledarfysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas