SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

(swepub) pers:(Larsson Anders) pers:(Westbergh Petter 1981)
 

Sökning: (swepub) pers:(Larsson Anders) pers:(Westbergh Petter 1981) > Single mode 1.3 ÎŒm...

Single mode 1.3 ÎŒm InGaAs VCSELs for access network applications

Westbergh, Petter, 1981 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Söderberg, Emma, 1980 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Gustavsson, Johan, 1974 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Modh, Peter, 1968 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Larsson, Anders, 1957 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Zhang, Zhenzhong (författare)
KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
Berggren, Jesper (författare)
KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
Hammar, Mattias (författare)
KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
visa färre...
 (creator_code:org_t)
SPIE, 2008
2008
Engelska.
Ingår i: Semiconductor Lasers and Laser Dynamics III. - : SPIE. ; 6997, s. 69970Y-1-8-
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • GaAs-based VCSELs emitting near 1.3 ÎŒm are realized using highly strained InGaAs quantum wells and a large detuning of the cavity resonance with respect to the gain peak. The VCSELs have an oxide aperture for current and optical confinement and an inverted surface relief for suppression of higher-order transverse modes. The inverted surface relief structure also has the advantage of suppressing oxide modes that otherwise appear in VCSELs with a large detuning between the cavity resonance and the gain peak. Under large signal, digital modulation, clear and open eyes and error free transmission over 9 km of single mode fiber have been demonstrated at the OC-48 and 10 GbE bit rates up to 85°C. Here we review these results and present results from a complementary study of the RF modulation characteristics, including second order harmonic and third order intermodulation distortion, relative intensity noise (RIN), and spurious free dynamic range (SFDR). RIN levels comparable to those of single mode VCSELs emitting at 850 nm are demonstrated, with values from -140 to -150 dB/Hz. SFDR values of 100 and 95 dB·Hz2/3 were obtained at 2 and 5 GHz, respectively, which is in the range of those required in radio-over-fiber systems.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)

Nyckelord

Distortion
Dynamic range
High speed
InGaAs
VCSEL
Cavity resonators
Dynamics
Electric conductivity
Electric currents
Fiber optics
Heterojunctions
Intermodulation distortion
Lasers
Modulation
Quantum well lasers
Resonance
Semiconducting indium
Semiconductor materials
Single mode fibers
Surface emitting lasers
Surface structure
Access network
Bit rates
Cavity resonances
Detuning
Digital modulations
Error-free transmission
Gain peaks
Higher-order
Highly strained
Large signals
Laser dynamics
Optical confinement
Oxide-aperture
Quantum wells
Relative intensity noise
Rf modulation
Second orders
Single modes
Spurious-free dynamic range
Surface reliefs
Third-order intermodulation distortion
Transverse modes
Semiconductor lasers

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy