Sökning: (WFRF:(Mulot C)) srt2:(2002-2004) >
High-performance 1....
High-performance 1.2-ÎŒm Highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers
-
Mogg, S. (författare)
-
Plaine, G. (författare)
-
Asplund, C. (författare)
-
visa fler...
-
Sundgren, P. (författare)
-
Baskar, K. (författare)
-
Mulot, M. (författare)
-
Schatz, R. (författare)
-
Hammar, M. (författare)
-
visa färre...
- Stockholm, 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. - Stockholm. ; , s. 107-110
- Relaterad länk:
-
http://www.scopus.co...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The growth and characterisation of high-performance 1.2-Όm highly strained InGaAs/GaAs single quantum well (SQW) laser diodes is reported. High output power in excess of 200 mW per facet was obtained from ridge-waveguide (RWG) lasers at an emission wavelength of 1230 nm. These lasers operate CW to at least 145°C and show a high characteristic temperature of 150 K. The net modal gain was measured using the method described by Hakki and Paoli.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Semiconducting indium gallium arsenide
- Semiconductor lasers
- Thermoanalysis
- Waveguides
- Ridge-waveguides (RWG)
- Quantum well lasers
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)