WFRF:(Karlsson Ulf)
Sökning: WFRF:(Karlsson Ulf) > (1995-1999) > METAL-SEMICONDUCTOR...
- 18 av 56
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
METAL-SEMICONDUCTOR FLUCTUATION IN THE SN ADATOMS IN THE SI(111)-SN AND GE(111)-SN (ROOT-3X-ROOT-3)R30-DEGREES RECONSTRUCTIONS
- GOTHELID, M (författare)
- BJORKQVIST, M (författare)
- GREHK, TM (författare)
- visa fler...
- LELAY, G (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 1995
- 1995
- Engelska.
- Ingår i: Physical Review B Condensed Matter. - 0163-1829 .- 1095-3795. ; 52:20, s. 14352-14355
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The two components of the Sn 4d core level in the Si(111)-Sn and Ge(111)-Sn. (root 3 X root 3)R30 degrees structures are proposed to arise from semiconductor-metal fluctuations in the Sn adatom layer. Adsorption of potassium on the Si(111)-Sn (root 3 X root 3)R30 degrees surface suppresses the metallic component and shifts the tin into a purely semiconducting phase with a filled dangling bond state.
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Physical Review B Condensed Matter (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 18 av 56
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- GOTHELID, M
- BJORKQVIST, M
- GREHK, TM
- LELAY, G
- KARLSSON, Ulf O
- Artiklar i publikationen
- Physical Review ...
- Av lärosätet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
