SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Simpson J.)
 

Sökning: WFRF:(Simpson J.) > (1995-1999) > Role of surface sto...

Role of surface stoichiometry in the Cl-2/GaAs(001) reaction

Simpson, W C (författare)
Shuh, D K (författare)
Hung, W H (författare)
visa fler...
Hakansson, M C (författare)
Kanski, J (författare)
Karlsson, Ulf O (författare)
KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Materialfysik
Yarmoff, J A (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
American Vacuum Society, 1996
1996
Engelska.
Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films. - : American Vacuum Society. - 0734-2101 .- 1520-8559. ; 14:3, s. 1815-1821
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The room-temperature reaction of Cl-2 with GaAs(001)-4x6, -c(2x8), and -c(4x4) surfaces is studied with synchrotron soft x-ray photoelectron spectroscopy. The chemical composition of the reacted surfaces is found to depend on the stoichiometry of the starting surface. In all cases, the reaction occurs stepwise, with Ga and As monochlorides formed prior to the dichlorides. The Ga-rich surface is initially more reactive than either of the As-rich surfaces and it forms more GaCl than the As-rich surfaces, which instead form more AsCl. The sticking coefficient for chlorine on GaAs(001) decays exponentially with coverage. A contribution from Cl atoms comprising the surface dichlorides is identified in the Cl 2p core-level spectra. (C) 1996 American Vacuum Society.

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy