Surface atomic structure of InAs((111)over-bar)2x2 and InSb((111)over-bar)2x2 studied by core level spectroscopy

NR 20140805
Surface sensitive high resolution core level spectroscopy has been applied to the molecular beam epitaxy grown InAs((111) over bar)2 x 2 and InSb((111) over bar)2 x 2 surfaces. For both systems the In 4d core level consists of one dominating component while the Group V core levels are deconvoluted into four components. This analysis is consistent with a surface model where the topmost layer consists entirely of arsenic or antimony. In this model, Group V atoms form trimers bound to Group V atoms in the first double layer, leaving a single Group V rest atom per unit cell.

Karlsson, Ulf OKTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT),Materialfysik (författare)
Hakansson, M C (författare)
Olsson, L O (författare)
Ilver, L (författare)
Kanski, J (författare)
Nilsson, P O (författare)
KTHSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT) (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Andersson, C B M; Karlsson, Ulf O; Hakansson, M C; Olsson, L O; Ilver, L; Kanski, J; visa fler...; Nilsson, P O; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.