Comparison of SiO2 and AlN as gate dielectric for SiC MOS structures

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: L773:0255 5476 OR L773:1662 9752 OR L773:9783038354789 > (1995-1999) > Comparison of SiO2 ...

Zetterling, Carl-MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar (författare)

Comparison of SiO2 and AlN as gate dielectric for SiC MOS structures

Artikel/kapitelEngelska1998

Förlag, utgivningsår, omfång ...

Trans Tech Publications Inc.1998
printrdacarrier

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-85410
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-85410URI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

References: Bhatnagar, M., Baliga, B.J., (1993) IEEE Trans. Electron Devices, 40, p. 645; Friedrichs, P., Burte, E.P., SchÃ¶rner, R., (1994) Appl. Phys. Lett., 65, p. 1665; Shenoy, J.N., Chindalore, G.L., Melloch, M.R., Cooper Jr., J.A., Palmour, J.W., Irvine, K.G., (1995) J. Elec. Mater., 24, p. 303; Sridevan, S., McLarty, P.K., Baliga, J.B., (1997) Proc. ISPSD '97, p. 153; Chaudhry, M.I., Berry, W.B., (1989) Journal of Material Research, 4, p. 1491; Jayatirtha, H.N., Spencer, M.G., (1995) Inst. Phys. Conf. Ser., 142, p. 61; Strite, S., Morkoc, H., (1992) J. Vac. Sci. Technol. B, 10, p. 1237; Zetterling, C.-M., Wongchotigul, K., Spencer, M.G., Harris, C.I., Wong, S.S., Ã–stling, M., (1996) Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 423, p. 667; Aboelfotoh, M.O., Kern, R.S., Tanaka, S., Davis, R.F., Harris, C.I., (1996) Appl. Phys. Lett., 69, p. 2873; Goetzberger, A., Irvin, J.C., (1968) IEEE Trans. Electron Devices, 15, p. 1009; Stein Von Kamienski, E.G., Leonhard, C., Scharnholz, S., GÃ¶lz, A., Kurz, H., Proc. ECSCRM'96; Jenq, C.-S., (1978), Ph.D. Thesis, Princeton UniversityZetterling, C.-M., Ã–stling, M., Wongchotigul, K., Spencer, M.G., Tang, X., Harris, C.I., Nordell, N., Wong, S.S., (1997) J. Appl. Phys., 82. , in press; Benjamin, M.C., Wang, C., Davis, R.F., Nemanich, R.J., (1994) Appl. Phys. Lett., 64, p. 3288 NR 20140805. NR 20160304
The electrical properties of silicon dioxide (thermal oxidation) and aluminum nitride (metal organic chemical vapor deposition) have been compared for use as gate dielectric for silicon carbide metal insulator semiconductor structures. High frequency capacitance voltage measurements at room temperature were used to investigate fixed charge and deep interface states. The deep interface states could be passivated with hydrogen if introduced during growth of silicon dioxide. Although results are promising for aluminum nitride, the morphology of the films grown so far do not allow a fair comparison with silicon dioxide.

Ämnesord och genrebeteckningar

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik Annan elektroteknik och elektronik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
Aluminum Nitride
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
Silicon Dioxide
Thermal Oxidation
Current voltage characteristics
Dielectric films
Electric charge
Film growth
Interfaces (materials)
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Nitrides
Semiconductor device structures
Silica
Thermooxidation
Gate dielectrics
MOS devices

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
Harris, C. I. (författare)
Nordell, N. (författare)
Wongchotigul, K. (författare)
Spencer, M. G. (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

Ingår i:Materials Science Forum: Trans Tech Publications Inc.264-268, s. 877-8800255-54761662-9752

Internetlänk

https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-85410

Hitta via bibliotek

Materials Science Forum (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Zetterling, Carl ...; Östling, Mikael; Harris, C. I.; Nordell, N.; Wongchotigul, K.; Spencer, M. G.

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Artiklar i publikationen: Materials Scienc ...

Av lärosätet: Kungliga Tekniska Högskolan

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se