Sökning: WFRF:(von Haartman Martin) >
pMOSFETs with reces...
pMOSFETs with recessed and selectively regrown Si1-xGex source/drain junctions
-
- Isheden, Christian (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- von Haartman, Martin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Radamson, Henry H. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science in Semiconductor Processing. - : Elsevier BV. - 1369-8001 .- 1873-4081. ; 8:1-3, s. 359-362
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A new source/drain formation concept based on selective Si etching followed by selective regrowth of in situ B-doped Si(1-x)Ge(x)is presented. Both process steps are performed in the same reactor to preserve the gate oxide. Well-behaved transistors are demonstrated with a negligibly low gate-to-substrate leakage current.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- pMOS
- shallow junctions
- CVD
- Si1-xGex
- Electronics
- Elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas