Silicide as diffusion source for dopant segregation in 70-nm MOSFETs with PtSi Schottky-barrier source/drain on ultrathin-body SOI

QC 20120328
In this paper, dopant segregation (DS) method is adopted to enhance device performance of PtSi-based Schottky-barrier source/drain MOSFETs (SB-MOSFETs) fabricated on ultrathin silicon-on-insulator. The DS formation is realized by means of Silicide As Diffusion Source. Without DS treatment, the devices are typically p-type, but with a rather large electron branch at positive gate bias. Dopant segregation with As is found to turn the devices to well-performing n-MOSFETs, and DS with B to greatly enhance the hole conduction in the p-MOSFETs. A large threshold voltage (V-t) shift is however observed in the p-MOSFET due to B lateral spread caused during the drive-in process for the DS formation. By reducing the drive-in temperature, this problem is partially addressed with a smaller V-t shift and a much better control of short channel effect.

Zhang, ZuhuaKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)- (författare)
Lu, J. (författare)
Liu, R. (författare)
Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
Zhang, Shi-LinKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1a28qyq (författare)
KTHIntegrerade komponenter och kretsar (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Qiu, Zhijun; Zhang, Zuhua; Lu, J.; Liu, R.; Östling, Mikael; Zhang, Shi-Lin

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.