Sökning: L773:0255 5476 OR L773:1662 9752 OR L773:9783038354789 >
Investigation of Cu...
Investigation of Current Gain Degradation in 4H-SiC Power BJTs
-
- Buono, Benedetto (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Ghandi, Reza (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Domeij, Martin (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Malm, Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 717-720, s. 1131-1134
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The current gain degradation of 4H-SiC BJTs with no significant drift of the on-resistance is investigated. Electrical stress on devices with different emitter widths suggests that the device design can influence the degradation behavior. Analysis of the base current extrapolated from the Gummel plot indicates that the reduction of the carrier lifetime in the base region could be the cause for the degradation of the gain. However, analysis of the base current of the base-emitter diode shows that the degradation of the passivation layer could also influence the reduction of the current gain.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- 4H-SiC
- BJT
- degradation
- current gain
- temperature
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas