Detailed studies of graphene grown on C-face SiC

I Johansson, LeifLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

Graphene samples were grown on the C-face of SiC, at high temperature in a furnace and an Ar ambient, and were investigated using LEEM, XPEEM, LEED, XPS and ARPES. Formation of fairly large grains (crystallographic domains) of graphene exhibiting sharp (1x1) patterns in μ-LEED was revealed and that different grains showed different azimuthal orientations. Selective area constant initial energy photoelectron angular distribution patterns recorded showed the same results, ordered grains and no rotational disorder between adjacent layers. A grain size of up to a few μm was obtained on some samples.

Watcharinyanon, SomsakulLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)somwa04 (författare)
Zakharov, A.A.MAX-lab, Lund University, S-22100 Lund, Sweden (författare)
Iakimov, TihomirLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)tihia09 (författare)
Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Virojanadara, ChariyaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)chavi32 (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Ingår i:Technical Proceedings of the 2012 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2012, s. 200-202

Av författaren/redakt...: I Johansson, Lei ...; Watcharinyanon, ...; Zakharov, A.A.; Iakimov, Tihomir; Yakimova, Rosits ...; Virojanadara, Ch ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.