Reactive DC magnetron sputtering of amorphous (Ti0.25B0.75)1−xSixNy thin films from TiB2 and Si targets

Fager, HannaLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan (författare)

(Ti0.25B0.75)1−xSixNy, 0≤x≤0.89, 0.9≤y≤1.25, thin films were reactively grown on Si(001) substrates by dc magnetron sputtering from compound TiB2 and elemental Si targets. The films can be grown in a fully electron-diffraction amorphous state with x>0.46, as evidenced by XRD and HR-TEM investigations. With x=0, BN form onion-like sheets surrounding TiNnanograins. Substrate temperatures, Ts=100-600 ◦C, has a minor effect of the film structure and properties, due to limited surface diffusion.Ion-assisted growth with substrate bias voltages, Vb, between -50 V and -200 V, favors densification of amorphous structures over nanocrystalline formation, and improves mechanical properties. A maximum hardness value of 26.8±0.7 GPa is found for an amorphous (Ti0.25B0.75)0.39Si0.61N1.15 film grown with substrate temperature Ts=400 °C and substrate bias voltage Vb=-100 V.

Eriksson, FredrikLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)freer90 (författare)
Lu, JunLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)junlu07 (författare)
Jensen, JensLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)jenje80 (författare)
Hultman, LarsLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)larhu75 (författare)
Linköpings universitetTunnfilmsfysik (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Fager, Hanna; Eriksson, Fredri ...; Lu, Jun; Jensen, Jens; Hultman, Lars

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.