id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-113191"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-113191" > Free-charge carrier...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Schoehe, S.University of Nebraska, NE 68588 USA (författare)
Free-charge carrier parameters of n-type, p-type and compensated InN:Mg determined by infrared spectroscopic ellipsometry
- Artikel/kapitelEngelska2014
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- Elsevier,2014
- electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-113191
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-113191URI
- https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.01.051DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- Infrared spectroscopic ellipsometry is applied to investigate the free-charge carrier properties of Mg-doped InN films. Two representative sets of In-polar InN grown by molecular beam epitaxy with Mg concentrations ranging from 1.2 x 10(17) cm(-3) to 8 x 10(20) cm(-3) are compared. P-type conductivity is indicated for the Mg concentration range of 1 x 10(18) cm(-3) to 9 x 10(19) cm(-3) from a systematic investigation of the longitudinal optical phonon plasmon broadening and the mobility parameter in dependence of the Mg concentration. A parameterized model that accounts for the phonon-plasmon coupling is applied to determine the free-charge carrier concentration and mobility parameters in the doped bulk InN layer as well as the GaN template and undoped InN buffer layer for each sample. The free-charge carrier properties in the second sample set are consistent with the results determined in a comprehensive analysis of the first sample set reported earlier [Schoche et al., J. Appl. Phys. 113, 013502 (2013)]. In the second set, two samples with Mg concentration of 2.3 x 10(20) cm(-3) are identified as compensated n-type InN with very low electron concentrations which are suitable for further investigation of intrinsic material properties that are typically governed by high electron concentrations even in undoped InN. The compensated n-type InN samples can be clearly distinguished from the p-type conductive material of similar plasma frequencies by strongly reduced phonon plasmon broadening.
Ämnesord och genrebeteckningar
- NATURVETENSKAP Kemi hsv//swe
- NATURAL SCIENCES Chemical Sciences hsv//eng
- Infrared spectroscopic ellipsometry; Mg-doped InN; P-type; Compensation; Free-charge carrier parameters
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Hofmann, T.University of Nebraska, NE 68588 USA (författare)
- Darakchieva, VanyaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)vanda79 (författare)
- Wang, X.Chiba University, Japan (författare)
- Yoshikawa, A.Chiba University, Japan (författare)
- Wang, K.Ritsumeikan University, Japan (författare)
- Araki, T.Ritsumeikan University, Japan (författare)
- Nanishi, Y.Ritsumeikan University, Japan (författare)
- Schubert, M.University of Nebraska, NE 68588 USA (författare)
- University of Nebraska, NE 68588 USAHalvledarmaterial (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Thin Solid Films: Elsevier571, s. 384-3880040-60901879-2731
Internetlänk
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Schoehe, S.
- Hofmann, T.
- Darakchieva, Van ...
- Wang, X.
- Yoshikawa, A.
- Wang, K.
- visa fler...
- Araki, T.
- Nanishi, Y.
- Schubert, M.
- visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Kemi
- Artiklar i publikationen
- Thin Solid Films
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
