Tyck till om SwePub Sök här!
L773:1361 6528 OR L773:0957 4484
Sökning: L773:1361 6528 OR L773:0957 4484 > Height-controlled n...
- 2 av 398
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Height-controlled nanowire branches on nanotrees using a polymer mask
-
- Dick Thelander, Kimberly (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Faculty of Engineering, LTH
-
- Deppert, Knut (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Larsson, Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2007-01-03
- 2007
- Engelska.
- Ingår i: Nanotechnology. - : IOP Publishing. - 0957-4484 .- 1361-6528. ; 18:3
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The production of complex three-dimensional dendritic structures is an important step in the application of semiconductor nanowires. One promising method for achieving this is the sequential seeding of multiple generations of epitaxial nanowires using metal seed particles. However, it is difficult to control and predict the position of second and higher generation nanowires with respect to the first generation. Here we demonstrate a procedure for controlling the position of second-generation epitaxial nanowire branches on vertically aligned nanowire trunks. This method uses a spun-on polymer layer that masks first-generation wires to a specified height, preventing the growth of nanowire branches at lower positions as well as new nanowire growth on the substrate. This method appears not to be dependent on the materials or growth system (in this case MOVPE-grown GaP is demonstrated), and hence is likely to be applicable to a variety of materials systems and growth procedures using metal seed particles.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 2 av 398
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Dick Thelander, ...
- Deppert, Knut
- Larsson, Magnus
- Seifert, Werner
- Wallenberg, Rein ...
- Samuelson, Lars
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- Nanotechnology
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
