SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

L773:1882 0778
 

Sökning: L773:1882 0778 > Homoepitaxial growt...

Homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy

Murakami, Hisashi (författare)
Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan
Nomura, Kazushiro (författare)
Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan
Goto, Ken (författare)
Tamura Corp, Japan
visa fler...
Sasaki, Kohei (författare)
Tamura Corp, Japan; National Institute Informat and Commun Technology, Japan
Kawara, Katsuaki (författare)
Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan
Thieu, Quang Tu (författare)
Tokyo Univ Agr & Technol, Global Innovat Res Org, Koganei, Tokyo 1848588, Japan
Togashi, Rie (författare)
Tokyo Univ Agr & Technol, Dept Appl Chem, Koganei, Tokyo 1848588, Japan
Kumagai, Yoshinao (författare)
Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan
Higashiwaki, Masataka (författare)
National Institute Informat and Commun Technology, Japan
Kuramata, Akito (författare)
Tamura Corp, Japan
Yamakoshi, Shigenobu (författare)
Tamura Corp, Japan
Monemar, Bo (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan,Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan
Koukitu, Akinori (författare)
Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Japan Society of Applied Physics, 2015
2015
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Express. - : Japan Society of Applied Physics. - 1882-0778. ; 8:1, s. 015503-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Thick high-purity beta-Ga2O3 layers of high crystalline quality were grown homoepitaxially by halide vapor phase epitaxy (HVPE) using gaseous GaCl and O-2 on (001) beta-Ga2O3 substrates prepared by edge-defined film-fed growth. The surface morphology and structural quality of the grown layer improved with increasing growth temperature. X-ray diffraction omega-rocking curves for the (002) and (400) reflections for the layer grown at 1000 degrees C had small full widths at half maximum. Secondary ion mass spectrometry and electrical characteristics revealed that the growth of high-purity beta-Ga2O3 layers with low effective donor concentration (N-d - N-a less than 10(13) cm(-3)) is possible by HVPE. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Kemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy