SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-122192"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-122192" > Infrared dielectric...

  • Ben Sedrine, NabihaLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan,University of Aveiro, Portugal; University of Aveiro, Portugal (författare)

Infrared dielectric functions and optical phonons of wurtzite YxAl1-xN (0 less than= x less than= 0.22)

  • Artikel/kapitelEngelska2015

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2015-09-17
  • IOP PUBLISHING LTD,2015
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-122192
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-122192URI
  • https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/41/415102DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • Funding Agencies|Swedish Research Council (VR) [2013-5580]; Swedish Governmental Agency for Innovation Systems (VINNOVA) [2011-03486]; Swedish Foundation for Strategic Research (SSF) [2012FFL12-0181]; National Science Foundation [MRSEC DMR-0820521, EPS-1004094]; Stiftelsen Lars Hiertas Minne [FO2013-0587]; [RECI/FIS-NAN/0183/2012 (FCOMP-01-0124-FEDER-027494)]
  • YAlN is a new member of the group-III nitride family with potential for applications in next generation piezoelectric and light emitting devices. We report the infrared dielectric functions and optical phonons of wurtzite (0001) YxAl1-xN epitaxial films with 0 less than= x less than= 0.22. The films are grown by magnetron sputtering epitaxy on c-plane Al2O3 and their phonon properties are investigated using infrared spectroscopic ellipsometry and Raman scattering spectroscopy. The infrared-active E-1(TO) and LO, and the Raman active E-2 phonons are found to exhibit one-mode behavior, which is discussed in the framework of the MREI model. The compositional dependencies of the E-1(TO), E-2 and LO phonon frequencies, the high-frequency limit of the dielectric constant, epsilon(infinity), the static dielectric constant, epsilon(0), and the Born effective charge Z(B) are established and discussed.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Zukauskaite, AgneLinköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska fakulteten,Fraunhofer Institute Appl Solid State Phys, Germany(Swepub:liu)agnzu70 (författare)
  • Birch, JensLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jenbi91 (författare)
  • Jensen, JensLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)jenje80 (författare)
  • Hultman, LarsLinköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)larhu75 (författare)
  • Schoeche, S.University of Nebraska, NE 68588 USA (författare)
  • Schubert, M.University of Nebraska, NE 68588 USA (författare)
  • Darakchieva, VanyaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)vanda79 (författare)
  • Linköpings universitetTunnfilmsfysik (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Journal of Physics D: IOP PUBLISHING LTD48:41, s. 415102-0022-37271361-6463

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy