SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128077"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128077" > AlGaN/GaN high elec...

  • Bergsten, JohanChalmers, Gothenburg, Sweden (författare)

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with intentionally doped GaN buffer using propane as carbon precursor

  • Artikel/kapitelEngelska2016

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • Institute of Physics Publishing (IOPP),2016
  • printrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-128077
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-128077URI
  • https://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FK02DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on a heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition using analternative method of carbon (C) doping the buffer are characterized. C-doping is achieved by using propane as precursor, as compared to tuningthe growth process parameters to control C-incorporation from the gallium precursor. This approach allows for optimization of the GaN growthconditions without compromising material quality to achieve semi-insulating properties. The HEMTs are evaluated in terms of isolation anddispersion. Good isolation with OFF-state currents of 2 ' 10%6A/mm, breakdown fields of 70V/μm, and low drain induced barrier lowering of0.13mV/V are found. Dispersive effects are examined using pulsed current–voltage measurements. Current collapse and knee walkout effectslimit the maximum output power to 1.3W/mm. With further optimization of the C-doping profile and GaN material quality this method should offer aversatile approach to decrease dispersive effects in GaN HEMTs.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Li, XunLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)xunli87 (författare)
  • Nilsson, DanielLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)danni86 (författare)
  • Danielsson, ÖrjanLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)orjda90 (författare)
  • Pedersen, HenrikLinköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)henpe50 (författare)
  • Janzén, ErikLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)erija14 (författare)
  • Forsberg, UrbanLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)urbfo25 (författare)
  • Rorsman, NiklasChalmers, Gothenburg, Sweden (författare)
  • Chalmers, Gothenburg, SwedenHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Japanese Journal of Applied Physics: Institute of Physics Publishing (IOPP)55, s. 05FK02-1-05FK02-40021-49221347-4065

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy