Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128077" >
AlGaN/GaN high elec...
-
Bergsten, JohanChalmers, Gothenburg, Sweden
(författare)
AlGaN/GaN high electron mobility transistors with intentionally doped GaN buffer using propane as carbon precursor
- Artikel/kapitelEngelska2016
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Institute of Physics Publishing (IOPP),2016
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:liu-128077
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-128077URI
-
https://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FK02DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on a heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition using analternative method of carbon (C) doping the buffer are characterized. C-doping is achieved by using propane as precursor, as compared to tuningthe growth process parameters to control C-incorporation from the gallium precursor. This approach allows for optimization of the GaN growthconditions without compromising material quality to achieve semi-insulating properties. The HEMTs are evaluated in terms of isolation anddispersion. Good isolation with OFF-state currents of 2 ' 10%6A/mm, breakdown fields of 70V/μm, and low drain induced barrier lowering of0.13mV/V are found. Dispersive effects are examined using pulsed current–voltage measurements. Current collapse and knee walkout effectslimit the maximum output power to 1.3W/mm. With further optimization of the C-doping profile and GaN material quality this method should offer aversatile approach to decrease dispersive effects in GaN HEMTs.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Li, XunLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)xunli87
(författare)
-
Nilsson, DanielLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)danni86
(författare)
-
Danielsson, ÖrjanLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)orjda90
(författare)
-
Pedersen, HenrikLinköpings universitet,Kemi,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)henpe50
(författare)
-
Janzén, ErikLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)erija14
(författare)
-
Forsberg, UrbanLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten(Swepub:liu)urbfo25
(författare)
-
Rorsman, NiklasChalmers, Gothenburg, Sweden
(författare)
-
Chalmers, Gothenburg, SwedenHalvledarmaterial
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Japanese Journal of Applied Physics: Institute of Physics Publishing (IOPP)55, s. 05FK02-1-05FK02-40021-49221347-4065
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas