SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Peyre J.)
 

Sökning: WFRF:(Peyre J.) > (2010-2014) > Incorporation of gr...

Incorporation of group III, IV and V elements in 3C–SiC(1 1 1) layers grown by the vapour–liquid–solid mechanism

Lorenzzi, J. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Zoulis, G. (författare)
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR 5650, CNRS and Université Montpellier 2, cc 074-GES, Montpellier CEDEX 5, 34095, France
Marinova, M. (författare)
Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki GR-54 124, Greece
visa fler...
Kim-Hak, O. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Sun, J. W. (författare)
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR 5650, CNRS and Université Montpellier 2, cc 074-GES, Montpellier CEDEX 5, 34095, France
Jegenyes, N. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Peyre, H. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Cauwet, F. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Chaudouët, P. (författare)
Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique, CNRS UMR 5628, Minatec Grenoble-INP, 3 parvis Louis Néel, BP 257, Grenoble CEDEX 01, 38016, France
Soueidan, M. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Carole, D. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
Camassel, J. (författare)
Groupe d’Etude des Semiconducteurs, UMR 5650, CNRS and Université Montpellier 2, cc 074-GES, Montpellier CEDEX 5, 34095, France
Polychroniadis, E. K. (författare)
Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki GR-54 124, Greece
Ferro, G. (författare)
Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, UMR 5615, Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces 43 Bd du 11 Novembre 1918, Villeurbanne CEDEX 69622, France
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Elsevier BV, 2010
2010
Engelska.
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier BV. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 312:23, s. 3443-3450
Relaterad länk:
https://urn.kb.se/re...
visa fler...
https://doi.org/10.1...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report on a comparative investigation of the incorporation of group III, IV and V impurities in 3C–SiC heteroepitaxial layers grown by the vapour–liquid–solid (VLS) mechanism on on-axis α-SiC substrates. To this end, various Si-based melts have been used with addition of Al, Ga, Ge and Sn species. Homoepitaxial α-SiC layers grown using Al-based melts were used for comparison purposed for Al incorporation. Nitrogen incorporation depth profile systematically displays an overshoot at the substrate/epilayer interface for all the layers. Ga and Al incorporations follow the same distribution shape as N whereas this is not the case for the isoelectronic impurities Ge and Sn. This suggests some interaction between Ga/Al and N coming from the high bonding energy between the group III and V elements, which does not exist with Ge and Sn. This is why both incorporate as a cluster. A model of incorporation is proposed taking into account metal-N and metal-C bonding energies together with the solid solubility of the corresponding nitrides.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Kemi -- Oorganisk kemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences -- Inorganic Chemistry (hsv//eng)

Nyckelord

A1. Impurities
A1. Doping
A1. SIMS
A2. Growth from melt
A3. Liquid phase epitaxy
B2. Silicon carbide

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy