Charge trapping at the dielectric of organic transistors visualized in real time and space

Mathijssen, Simon G. J.Eindhoven University of Technology, Netherlands; Philips Research Labs, Netherlands (författare)

Scanning Kelvin probe microscopy demonstrates that water-induced charge trapping at the SiO2 dielectric visualized in real time and space - is responsible for the commonly observed gate-bias-induced threshold-voltage shift in organic field-effect transistors. When a bias is applied to the electrodes, charges are injected onto the SiO2 (see background of the figure). When the contacts are grounded, the charges are released again (foreground picture).

Kemerink, MartijnEindhoven University of Technology, Netherlands(Swepub:liu)marke89 (författare)
Sharma, AbhinavEindhoven University of Technology, Netherlands (författare)
Coelle, MichaelMerck Chemistry, England (författare)
Bobbert, Peter A.Eindhoven University of Technology, Netherlands (författare)
Janssen, Rene A. J.Eindhoven University of Technology, Netherlands (författare)
de Leeuw, Dago M.Philips Research Labs, Netherlands (författare)
Eindhoven University of Technology, Netherlands; Philips Research Labs, NetherlandsEindhoven University of Technology, Netherlands (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Mathijssen, Simo ...; Kemerink, Martij ...; Sharma, Abhinav; Coelle, Michael; Bobbert, Peter A ...; Janssen, Rene A. ...; visa fler...; de Leeuw, Dago M ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.