Fast epitaxy by PVT of SiC in hydrogen atmosphere

Syväjärvi, MikaelLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan (författare)

Epitaxial growth in hydrogen atmosphere has been studied in relation to sublimation epitaxial growth. A new type of features with a hexagonal shape are observed in the layers grown in hydrogen atmosphere. The morphological details of the features have been studied with optical microscopy and atomic force microscopy. An interactive relation of the defect appearance with the step flow growth mode seems to be present. The results are compared with growth in vacuum, argon, and helium conditions. The possible influence of thermal component to a reactive one in hydrogen etching is discussed.

Ciechonski, Rafal R.Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rafci91 (författare)
Yazdi, Gholamreza R.,1966-Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)ghoya53 (författare)
Yakimova, RositsaLinköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan(Swepub:liu)rosia15 (författare)
Linköpings universitetHalvledarmaterial (creator_code:org_t)

Ingår i:Journal of Crystal Growth: Elsevier BV275:1-2, s. e1103-e11070022-02481873-5002

Av författaren/redakt...: Syväjärvi, Mikae ...; Ciechonski, Rafa ...; Yazdi, Gholamrez ...; Yakimova, Rosits ...

Om ämnet

MEDICIN OCH HÄLSOVETENSKAP: MEDICIN OCH HÄLS ...; och Medicinska och f ...; och Andra medicinska ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.